报告人：陆海 教授
南京大学教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者
报告题目：宽禁带半导体与微纳光电器件
报告时间：2014年6月7日（周六）上午9:00
报告地点：物理与电子工程学院4楼学术报告厅
主办单位：物电学院、江苏省先进激光材料与器件重点实验室、科技处
报告人简介：
于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学获得博士学位后，于2004年，受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年9月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院，现任南京大学特聘教授，兼任南京微结构国家实验室（筹）主任研究员（PI）。
主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，获得多项有影响力的成果：制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜（保持6年世界纪录）；首先生长出p型、a面及立方相等新型InN材料；为三十余家国际权威研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品，联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数，包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现；首先发现InN表面强电荷聚集效应；成功研制出InN化学传感器、InN THz发射源、GaN基高温霍尔传感器、InGaN多异质结太阳能电池、同质外延GaN雪崩光电探测器等新型器件。近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究。
已发表学术论文两百余篇，其中包括SCI论文180余篇；所发表文章获SCI他人引用5000余篇次（截止到2012年3月）；论文被引用的H因子（H-index）为38。所发表论文中，在国际物理学四大杂志Physics Review Letters、Physics Review B、Applied Physics Letters和Journal of Applied Physics，以及IEEE系列杂志上占90余篇。其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Majorbreakthrough (重大突破)”；两项工作被《Nature》（自然）杂志两次专文评述；多项成果被国际主流技术媒体跟踪报道；并应邀成为十余家国际著名学术期刊以及国际权威器件研究会议IEDM特约审稿人。2007年入选教育部新世纪人才支持计划；2008年获得国家杰出青年科学基金资助。